高精密光学行业动态｜High-NA EUV用于部分逻辑产品高批量制造

高精密光学行业动态

High-NA EUV用于部分逻辑产品高批量制造

 7月23日，Intel发布的2026年第二季度业绩材料确认了部分Panther Lake采用EXE High-NA EUV进入高批量制造这一进展。ASML还表示，上述Intel 18A产品层已在美国俄勒冈州完成High-NA EUV与现有NXE两种工艺路径的资格验证（dual-qualified）；产品已向客户出货，良率与NXE平台相当。当前公开信息涉及部分产品和特定工艺层。

High-NA EUV的核心变化，是在约13.5纳米EUV波长不变的情况下，将投影光学系统的数值孔径由现有EUV平台的0.33提高至0.55。数值孔径提高约67%后，系统能够接收更大角度范围的衍射光，从而提升分辨率和成像对比度，为先进逻辑芯片关键层减少多重图形化步骤提供新的技术路径。

ASML产品资料显示，EXE:5000和EXE:5200B均标称8纳米分辨率，成像对比度较NXE平台提高40%。这里的8纳米是EXE平台的标称分辨率口径；imec将High-NA EUV的16纳米节距线/空能力表述为8纳米关键尺寸。这与Intel 18A节点名称或产品实际几何尺寸不是同一指标。

ASML公告回顾，Intel与ASML于2024年完成了首套商用High-NA EUV光刻系统的集成，Intel还安装并通过了EXE:5200B的验收测试，但公告未说明本次高批量制造使用的具体机型。因此，上述8纳米分辨率和40%成像对比度仅作为EXE平台技术参数。imec于2024年使用EXE:5000获得16纳米节距线/空图形的单次曝光结果，属于研发验证，不是Panther Lake产品的公开生产参数。

EUV光会被空气及普通透射材料强烈吸收，光学系统需在真空环境中采用多层膜反射镜完成照明与投影。在0.55数值孔径下，更大的收光角度和变形光学设计，使系统能够在沿用现有掩模尺寸的同时形成半视场成像。对于尺寸超过单个半视场的图形，还需解决曝光场拼接问题。相关变化进一步提高了反射镜尺寸与曲率、波前像差、膜层均匀性、套刻、精密运动及环境稳定性等方面的协同控制要求。

 据ZEISS技术介绍，High-NA EUV反射镜较现有EUV反射镜更大、曲率更复杂，制造过程中需在大型真空量测装置内多次进行亚纳米量级的镜面测量。该页面属于厂商技术介绍，未提供完整的测量不确定度、空间频段、重复性及第三方比对结果。评价此类光学系统时，需结合面形PV/RMS、不同空间频段的面形误差、波前误差、表面粗糙度、多层膜性能、缺陷、重复性和测量不确定度等指标进行综合判断。

综合现有公开资料判断，对已披露的特定产品和工艺层而言，High-NA EUV已从实验室曝光推进到高批量制造环境；对整个0.55数值孔径平台而言，仍处于早期工程化导入阶段。现有资料尚未说明本次生产所用设备型号、良率样本量、批次数量和统计周期。长期可用率、套刻稳定性、随机缺陷、光刻胶与掩模寿命、图形拼接、单位晶圆综合成本，以及更多工艺层和晶圆厂的采用情况，仍是判断平台成熟度的关键指标。

对我省高精密光学产业而言，此次进展凸显了“设计—制造—镀膜—检测—修正”全闭环协同的必要性。这为大口径反射镜、复杂曲面及高性能膜层等产品的工艺迭代提供了方法论借鉴。行业可进一步加强加工装备与检测设备在真实复杂工件上的协同验证，完善量值溯源以及跨设备、跨实验室比对，并推动面形、波前、膜层、缺陷与最终成像性能之间的关联评价。

责编：苏晨、刘悦

审核：苏   晨

总编：古婵娟